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三菱IPM模塊PM10CMA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

三菱IPM模塊PM30CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

三菱IPM模塊PM20CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

三菱IPM模塊PM15CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

三菱IPM模塊PM10CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，

西門康IPM智能功率模塊SKiiP603GD123-3DUW，集成了驅(qū)動器和散熱器的IGBT模塊，適用于功率高達2.1MW的變流器 / 采用燒結(jié)技術(shù)，可靠性Z高 / 應(yīng)用領(lǐng)域包括風(fēng)能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)及鐵路應(yīng)用 / 服務(wù)成本更低

西門康IPM智能功率模塊SKiiP603GD123-3DUL，集成了驅(qū)動器和散熱器的IGBT模塊，適用于功率高達2.1MW的變流器 / 采用燒結(jié)技術(shù)，可靠性Z高 / 應(yīng)用領(lǐng)域包括風(fēng)能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)及鐵路應(yīng)用 / 服務(wù)成本更低

西門康IPM智能功率模塊SKiiP1513GB172-3DW，集成了驅(qū)動器和散熱器的IGBT模塊，適用于功率高達2.1MW的變流器 / 采用燒結(jié)技術(shù)，可靠性Z高 / 應(yīng)用領(lǐng)域包括風(fēng)能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)及鐵路應(yīng)用 / 服務(wù)成本更低